金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制造高質(zhì)量薄膜和納米結(jié)構(gòu)材料的重要技術(shù)。自其發(fā)展以來(lái)，MOCVD在半導(dǎo)體、光電子以及儲(chǔ)能材料等領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。
1.氣源供應(yīng)系統(tǒng)：提供金屬有機(jī)前驅(qū)體和反應(yīng)氣體。常見(jiàn)的金屬有機(jī)前驅(qū)體包括三甲基鎵（TMGa）、三乙基鎵（TEGa）、三甲基銦（TMIn）等。這些前驅(qū)體通常是液態(tài)或固態(tài)，通過(guò)加熱和載氣（如氫氣或氮?dú)猓┮敕磻?yīng)室。
2.反應(yīng)室：是MOCVD系統(tǒng)的核心部件，通常為高真空腔體。反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有基片臺(tái)，用于放置待鍍基片。基片臺(tái)可以加熱至所需溫度，以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行。
3.溫控系統(tǒng)：用于精確控制反應(yīng)室和基片臺(tái)的溫度。溫度控制對(duì)于薄膜的均勻性和晶體質(zhì)量至關(guān)重要。
4.氣體流量控制系統(tǒng)：包括質(zhì)量流量控制器（MFC），用于精確調(diào)節(jié)氣體的流量和比例。不同的氣體組合和流量設(shè)置將直接影響沉積結(jié)果。
5.排氣系統(tǒng)：包括真空泵和廢氣處理裝置。真空泵用于維持反應(yīng)室的低壓環(huán)境，而廢氣處理裝置則用來(lái)凈化和排放反應(yīng)生成的副產(chǎn)品和未反應(yīng)的前驅(qū)體。
工作原理：
1.前驅(qū)體蒸發(fā)：金屬有機(jī)前驅(qū)體通過(guò)加熱揮發(fā)成氣態(tài)，并被載氣帶入反應(yīng)室。
2.前驅(qū)體輸運(yùn)：氣態(tài)前驅(qū)體在載氣的推動(dòng)下，流經(jīng)反應(yīng)室到達(dá)基片表面。
3.吸附與分解：前驅(qū)體在基片表面被吸附并受熱分解，釋放出金屬原子和有機(jī)基團(tuán)。金屬原子在基片表面遷移并結(jié)合，形成所需的薄膜材料。
4.副產(chǎn)物排除：反應(yīng)生成的有機(jī)基團(tuán)和其他副產(chǎn)物被載氣帶走，通過(guò)排氣系統(tǒng)排出反應(yīng)室。
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的應(yīng)用：
1.半導(dǎo)體制造：廣泛用于制造Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，如氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP），這些材料在高頻、高功率電子器件和光電子器件（如LED、激光器）中具有重要應(yīng)用。
2.光電器件：通過(guò)MOCVD技術(shù)，可以制備高質(zhì)量的量子點(diǎn)、量子阱和超晶格結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)在激光器、太陽(yáng)能電池和探測(cè)器中起關(guān)鍵作用。
3.儲(chǔ)能材料：還用于制備高性能電極材料和電解質(zhì)材料，用于鋰離子電池、超級(jí)電容器等儲(chǔ)能設(shè)備中。
產(chǎn)品分類(lèi)
更新時(shí)間：2024-06-26 
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