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技術(shù)文章/ article
全自動磁控濺射系統(tǒng)(MagnetronSputteringSystem)是一種廣泛應(yīng)用于材料表面處理和薄膜沉積的設(shè)備,常用于電子、光學(xué)、半導(dǎo)體、太陽能、傳感器、裝飾等行業(yè)。濺射技術(shù)通過將高能離子轟擊目標(biāo)材料,使目標(biāo)材料原子或分子濺射到基材表面,從而形成均勻的薄膜層。磁控濺射系統(tǒng)則在傳統(tǒng)磁控濺射設(shè)備的基礎(chǔ)上,結(jié)合了自動化控制技術(shù),提升了生產(chǎn)效率、薄膜質(zhì)量以及操作的便捷性。全自動磁控濺射系統(tǒng)的工作原理:1.等離子體的形成:在真空室內(nèi),電源提供高電壓(一般為幾百伏特)在靶材和基材之...
ICP等離子刻蝕機(jī)的工作原理基于利用射頻電源在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生高密度的等離子體,這些等離子體包含大量的活性粒子,如離子、電子、自由基等。在強(qiáng)電場的作用下,這些活性粒子與被加工的材料表面發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。ICP等離子刻蝕機(jī)的技術(shù)特點(diǎn):1.高密度等離子體源:采用感應(yīng)耦合方式產(chǎn)生高密度等離子體,提高了刻蝕速率和均勻性。2.良好的各向異性:由于等離子體的方向性較強(qiáng),ICP刻蝕機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)高各向異性的刻蝕,有利于深寬比大的微結(jié)構(gòu)的制備。3.寬工藝窗口:ICP刻蝕機(jī)能夠在...
飛行時間二次離子質(zhì)譜(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry,TOF-SIMS)是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面,使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次粒子,這些帶電粒子經(jīng)過質(zhì)量分析器后就可以得到關(guān)于樣品表面信息的圖譜。SIMS用于在超高真空條件下分析固體樣品中元素、分子和同位素的分布和相對濃度,是zui靈敏的表面分析技術(shù)之一。SIMS可用于成像、光譜分析和深度剖面/三維分析。光譜分析模式可用于評估聚合物涂層的組...
全自動磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場控制電子運(yùn)動軌跡,使電子與靶材發(fā)生碰撞并濺射出原子或分子,從而在基片上形成薄膜的設(shè)備。與傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備相比,在結(jié)構(gòu)上增加了自動化控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)對整個濺射過程的精確控制和自動化操作。主要由真空室、磁控濺射源、基片加熱器、真空測量與控制系統(tǒng)以及自動化控制系統(tǒng)等部分組成。其中,自動化控制系統(tǒng)是核心部分,它通過接收傳感器的信號,實(shí)時監(jiān)測濺射過程中的各項參數(shù)(如真空度、溫度、電流等),并根據(jù)預(yù)設(shè)的程序自動調(diào)整各項參數(shù),以保證薄膜的質(zhì)量和一致性。廣...
二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù),利用化合物的離子化過程及其質(zhì)量分析,以確定待測化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分,通過將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離,并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸出至檢測器,在此被探測并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。簡介在質(zhì)譜分析中,有三種常見的質(zhì)譜儀離子分析器可用于離子的分離。四極桿質(zhì)譜儀飛行時間質(zhì)譜儀磁扇形質(zhì)量分析儀四極桿質(zhì)譜儀直流偏壓會使所有帶電分子加速并遠(yuǎn)離中心線,其速度與它們的電荷與質(zhì)量比成正比。當(dāng)這些分子的軌跡偏離過大時,它們將撞擊金屬棒或...
TOF-SIMS(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry)飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束,和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。鉍基液態(tài)金屬離子槍(LMIGs)是商業(yè)ToF-SIMS中常用的離子源。與金等其他LMIG源相比,鉍基離子源可以在較低的溫度下工作,并能產(chǎn)生用于分析的離子簇(例如Bi3+)。這些離子束可以緊密聚焦,以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率(亞表面分析可通過在雙束模式操作來實(shí)現(xiàn),包...
全自動磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場控制等離子體濺射技術(shù)在基材上沉積薄膜的材料制備設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、材料科學(xué)、裝飾鍍膜等領(lǐng)域,用于生產(chǎn)各種功能性和裝飾性薄膜。通過精確控制濺射過程中的各種參數(shù),實(shí)現(xiàn)了高效率、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量的薄膜沉積。工作原理基于濺射效應(yīng),即在真空環(huán)境下,通過電場加速的氣體離子(通常是氬離子)轟擊靶材,使靶材原子或分子被轟擊出來,然后沉積在基材上形成薄膜。磁控部分則是通過靶材背后的磁場設(shè)計,有效延長了電子在等離子體中的運(yùn)動路徑,提高了氣體離化率和濺射效...
靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),能在只消耗樣品單層一小部分的情況下,獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層,這對于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列產(chǎn)品為科研和工業(yè)領(lǐng)域提供了高性價比的表面分析解決方案。以下數(shù)據(jù)展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優(yōu)勢。實(shí)驗質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確性圖1.污染鋁接頭近來,儀器的質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確度均已經(jīng)提高到2000(M/ΔM)以上。上圖展示了...